當全世界盯著輝達GPU、台積電先進製程的時候，三星在記憶體領域已經悄悄動手了。根據韓國業界消息，三星電子預計在2026年9月完成1d DRAM開發，並於2026年12月開始移交量產線，最快2027年底啟動量產——這個時程比市場預期提前了一些。

更值得注意的是，三星這次不是單純把線寬縮小就了事，而是拿出了兩張技術底牌。

技術突破1：DRAM電容首次「站起來」

過去DRAM的電容就像一排橫躺的多米諾骨牌，平鋪在晶圓上。但當製程進入10奈米以下，再繼續「躺平」就會撞上物理極限——漏電、干擾、成本爆炸，問題一個接一個。

三星的做法是讓電容垂直堆疊，概念類似當年NAND Flash從2D走向3D的轉變。根據產業報導與三星先前的次世代DRAM技術說明，這種新結構有望帶來約30～50%的密度提升（此為技術預估值），同時繞過傳統微縮的瓶頸。

技術突破2：雙晶圓接合，像組裝模組一樣做晶片

更進階的是三星啟用了雙晶圓接合技術：把記憶體陣列跟周邊控制電路分別在不同晶圓上製造，最後再「接合」起來。這種做法能讓每層晶圓用最適合的製程，不用互相妥協，設計彈性大增。

業界人士直言：「這已經不是傳統的平面戰爭，而是誰先掌握垂直整合跟先進封裝，誰就能在AI記憶體市場稱王。」

良率挑戰仍在，市場保持觀望

技術突破固然亮眼，但網友反應卻相當兩極。PTT半導體版有網友興奮表示「韓國又双叒彎道超車了」（此為網友戲稱），也有人冷靜提醒「三星問題仍是良率，用2nm性能是更好，但量出不來就是空談」。

據部分業界傳聞，三星在1d DRAM的良率表現仍在優化中，甚至有報導指出因良率低於內部目標，HBM5E相關計畫可能延後。加上2026年上半年曾傳出D1d良率未達標恐延後量產的消息（尚未獲官方證實），市場對三星的執行力始終保持觀望態度。

SK海力士、美光呢？時間不站在追兵這邊

目前三星的時程表是：2026年12月移交量產線 → 2027年Q2導入設備 → 2027年底首批量產。多家產業報導預期，三星計劃將1d DRAM導入2028年後的HBM5/HBM5E世代，可能落在2029至2030年前後。

相較之下，SK海力士雖然在HBM市場佔有率領先，但在1d製程節點的進度資訊相對保守；部分投資人觀點認為美光在此領域的存在感較為薄弱。

摩根士丹利研報更點出關鍵：「未來AI發展將轉向自主型AI（Agentic AI），運算瓶頸將從GPU轉移至CPU與記憶體。」換句話說，誰能在2027年前卡位次世代記憶體架構，誰就能吃到AI浪潮的下一波紅利。

這不只是技術競賽，更是生態系大洗牌

1d DRAM的意義不只是「更小、更快、更省電」，而是整個供應鏈（設備、材料、封裝）的全面重組。當單台High-NA EUV設備要價約3至4億美元，產業分析普遍認為，無法掌握垂直堆疊與先進封裝技術的二線廠商，將面臨在這波結構性重組中被邊緣化的高度風險。

三星這次在1d DRAM領域的技術布局，會不會在2027年底給市場一個驚喜？還是又將面臨良率挑戰？答案揭曉前，記憶體戰場的競爭態勢已經悄然升溫。從工程角度來看，技術到位是一回事，能不能準時穩定產出又是另一回事——最終還是要看投片下去，數字會不會亮。

資訊來源類型：本文綜合韓國產業媒體報導、國際科技新聞、摩根士丹利研報分析，以及部分業界傳聞與市場觀點。具體技術數據如密度提升幅度為預估值，HBM5/5E導入時程為產業預期，讀者宜留意區分已確認事實與市場預測。