「砸錢買最貴的 EUV 設備就能贏？」這句話聽起來很熱血，但在 2025 年的 DRAM 產業裡，這個邏輯已經不太管用了。
三星換賽道：不跟你玩製程微縮了
當大家還在看美光跟 SK 海力士比誰的奈米數字更小的時候，三星電子已經悄悄轉了個方向——1d DRAM，目標是 2027 年底啟動量產。這不是單純的製程升級，而是 DRAM 產業少見的架構大翻修：首度在主流產品導入電容垂直堆疊架構。如果你還記得當年 NAND Flash 從平面殺進 3D 的那場革命，這次的邏輯差不多——不是在平面上繼續擠，而是往上疊。
技術上怎麼做？三星用了能承受高溫的新型電晶體，把記憶體陣列跟周邊控制電路分層，再透過先進接合技術整合起來。這種做法的好處是，在相同晶片面積內，儲存單元密度可以明顯提高。換句話說，不用拚命砸錢買更貴的設備，光靠材料科學跟垂直整合能力，就能讓每位元成本往下壓。
設備軍備競賽？那是上個世代的打法
科技新報講得很直白：「當製程微縮不再能單靠 EUV 設備解決，垂直整合能力與材料科學將取代單純的產能規模，成為決定市佔的關鍵。」更現實的是，業界普遍預期未來更先進的次世代節點會大量導入 High-NA EUV 設備，單台造價高達約 4 億美元——這已經不是砸錢就能玩得起的遊戲，而是考驗誰能在現有技術框架內榨出最大性能。
三星的算盤很清楚：與其在設備軍備競賽裡燒錢，不如把 1d DRAM 跟自家2nm 晶圓代工技術綁在一起，直接瞄準下一代 AI 記憶體市場——HBM5E（依業界預估，可能落在 2028 至 2030 年間）。有網友一針見血：「三星 HBM5 基底晶片採用 2nm，HBM5E 用上 1d DRAM，除非 SK 海力士也用上台積電先進製程，不然根本看不到三星車尾燈。」
良率問題：實驗室數據不等於量產現實
當然，市場也不是沒有雜音。2026 年上半年曾傳出三星因 D1d 良率未達標恐無限期延後量產，網友戲稱「記憶體三星要一桶漿糊了」，質疑聲浪一度讓股價震盪。不過據業界人士透露，三星在 1d DRAM 良率調校上已取得進展，但仍需持續優化量產步驟與測試條件——這表示技術可行性正逐步被驗證，剩下的是如何優化量產步驟以控制成本。
韓國半導體業界知情人士透露：「三星正同步簡化量產線上的製造步驟，考量成本與獲利能力。」換句話說，他們很清楚實驗室的漂亮數據不等於商業成功，真正的戰場是在生產線上能否穩定、大量、低成本地複製這些成果。
AI 時代的記憶體戰爭才剛開始
有投行與研調機構在近期報告中指出，未來 AI 發展將更偏向具備自主決策能力的「自主型 AI（Agentic AI）」，系統瓶頸也可能逐步從 GPU 轉移至 CPU 與記憶體等其他環節。這意味著，誰能在記憶體容量、頻寬與功耗上取得突破，誰就掌握了 AI 時代的入場券。
三星這次押注垂直堆疊，不只是技術賭局，更是一場供應鏈的全面洗牌。在這波結構性重組中，無法掌握 3D 堆疊與先進封裝技術的廠商，競爭壓力顯著升高，技術落後者存在被邊緣化的風險。至於美光？部分網友對美光的競爭力抱持質疑，認為其在先進製程與 HBM 產品線上面臨壓力。
總結來說，這場記憶體戰爭的勝負關鍵，已經不在誰的設備比較新，而在誰能把材料、架構、封裝跟製程整合得更緊密。三星這次的策略，就是用垂直整合能力換取成本優勢——至於能不能真的量產、能不能穩定交貨，那才是真正的考驗。
