「現在不是起跑點，已經跑到路中間了。」汎銓科技董事長柳紀綸這句話講得很直白——當全球還在摸索2奈米製程的檢測難題時，汎銓已經跟國研院國儀中心合作，把關鍵的低溫鍍膜分析技術給搞出來了。
這不是什麼遠大的願景故事，而是一個務實的技術突圍：別人還在擔心怎麼量測，汎銓已經在想怎麼讓檢測結果不會因為溫度波動而全盤報廢。
為什麼「切蛋糕」會變成技術門檻？
想像你剛烤好一個鬆軟的戚風蛋糕，直接拿刀切下去會怎樣？整個塌陷、內餡糊成一團，根本看不出原本的結構。這個比喻雖然有點幼稚園，但正好說明半導體業在檢測「高數值孔徑極紫外光」(High-NA EUV) 與「金屬氧化物光阻劑」(MOR) 製程時面臨的窘境。
因為當製程邁向2奈米、甚至埃米級別，任何溫度波動、操作失誤都可能讓奈米結構變形，導致分析數據完全失準。這不是技術人員不夠小心，而是傳統檢測方法在面對熱敏感材料時的根本限制——就像你不能拿烤箱再烤一次蛋糕，然後期待它還能維持原本的形狀。
低溫鍍膜的關鍵突破：把操作溫度壓到100℃以下
對於熱敏感的MOR材料來說，傳統原子層沉積（ALD）設備的操作溫度往往會造成材料結構變化——還沒檢測完，光阻劑的化學結構就可能已經被高溫影響。這就像你想驗屍，結果屍體在檢驗台上先自燃了。
國研院國儀中心在這方面取得了技術突破。他們開發出操作溫度低於攝氏100度的客製化ALD設備，汎銓科技則參與前驅物測試、製程參數控制及設備腔體設計，在後續材料分析前，於MOR表面形成奈米級保護層，以降低受熱或結構變形風險。國研院表示，該技術是全球首度成功應用於相關High-NA EUV／MOR製程的鍍膜技術。
值得注意的是，汎銓表示，相關成果曾獲ASML在SPIE論壇發表High-NA EUV微影製程技術時引用，顯示這項技術已經不只是實驗室裡的玩具，而是被國際設備大廠認可的解決方案。
從「事後驗屍」到「事前體檢」：產業遊戲規則改寫
更具戰略意義的是汎銓推出的「類FAB產線驗證技術」。過去材料商要把新樣品送進半導體廠測試，需要經過漫長的等待才能得知結果——這就像你報名健檢，結果要等半年才拿到報告，而且還不確定檢驗過程有沒有出錯。
現在汎銓提供「生產＋驗證分析一條龍」服務，讓材料商在正式進入晶圓廠前就能取得模擬驗證數據。這項服務協助材料商在先進節點導入晶圓廠前進行模擬與分析。這等於是把原本的「事後驗屍」升級為「事前體檢」，大幅縮短研發週期，也為汎銓在先進製程材料驗證市場建立了技術優勢。
技術突破背後的產業意義
汎銓與國研院的合作案例，展現台灣半導體供應鏈在2奈米製程檢測技術上的進展。當半導體製程越來越極端，能精準檢測熱敏感材料的第三方機構就越稀缺——而汎銓已經不只是在起跑線上熱身，他們正在先進製程材料驗證領域建立自己的技術優勢。
根據中央廣播電臺等媒體報導,這項合作於2025年10月27日對外公布,代表台灣在High-NA EUV製程檢測技術上的最新進展。未來這項技術能否成功複製到國際市場,以及對汎銓營收的實際貢獻,仍有待進一步觀察。
但至少在技術卡位這件事上,汎銓已經不是在等別人出招,而是自己先把檢測標準給定義出來了。這才是真正的先行者優勢——不是喊口號,而是把別人還在煩惱的問題先解掉。
