當半導體製程進入2奈米與更先進世代，工程師遇到一個很實際的問題：怎麼在不搞壞材料的情況下，看清楚奈米級光阻長什麼樣子？

國家實驗研究院的說法很直白：先進製程完成後的材料分析，難度極高。當製程精度進入原子級尺度，傳統分析方法習慣用的高溫條件，可能對敏感材料造成不可逆的損傷，讓你看到的結果根本不可靠。

低溫鍍膜：別讓分析過程毀了樣本

國研院國儀中心點出一個關鍵：市售設備多在攝氏200度以上操作，但金屬氧化物光阻劑（MOR）對高溫很敏感。一加熱，材料可能變形、結構改變，後面的剖面分析就沒意義了。

國研院國儀中心副組長陳建維的團隊做了件事：開發出操作溫度低於攝氏100度的ALD鍍膜設備。汎銓科技拿這套技術，調出自己的製程參數，在檢測前於晶圓表面鍍上均勻、緻密的奈米級保護層，降低後續分析造成的結構損傷，提升分析結果的可靠性。

根據國研院表示，ASML在SPIE國際學術論壇發表High-NA EUV微影製程技術時引用了這項成果。汎銓董事長柳紀綸表示，公司正服務多家國際設備商；實際客戶名單未完全公開。

類FAB產線驗證：提前抓出問題，省下1到2年

在商業應用層面，汎銓與國研院推動的類FAB產線驗證技術，讓材料商在送交晶圓廠前，就能在接近真實產線的條件下，跑完製程模擬與分析驗證。

汎銓表示，這項服務可望協助材料商縮短開發時程，估計在特定條件下可縮短1到2年的驗證分析週期。柳紀綸說明：「材料商要投入新樣品去供1.4奈米、1.0奈米，在投給半導體廠之前，就有人可以幫他做完整的模擬分析。」不過，實際縮短時程仍需視個別開發案的複雜度與材料特性而定。

技術優勢與市場定位

該技術可望提升先進光阻材料的分析能力，協助材料商與設備商在先進製程開發階段取得更可靠的驗證數據。汎銓的「生產與驗證分析整合」商業模式，試圖從傳統檢測供應商轉型為提供製程驗證解決方案的廠商。

不過，這裡有幾點需要釐清：

  • 國研院稱ASML曾在學術論壇引用相關技術成果，但這與「汎銓已打入ASML供應鏈」是兩回事。前者是學術或技術引用，後者通常需要採購、認證或供應商資格等商業證據
  • 該技術的商業規模、國際競爭地位與專利佈局，仍待更多公開資料驗證
  • 「類晶圓廠」驗證技術能否成功複製到美國、日本等海外市場，目前尚無明確證據

隨著2奈米與更先進製程的推進，能否在材料開發早期階段提供可靠的分析驗證，將成為半導體供應鏈的重要競爭因素。台灣在這一技術領域的佈局，值得持續關注其實際商業化進展與國際市場反應。